气体供给系统以及薄膜沉积设备

专利主权项内容

1.气体供给系统，应用于薄膜沉积设备，所述气体供给系统用于向反应腔体(10)提供气体，其特征在于，所述气体供给系统包括：
氧源系统(20)，包括多种氧源回路(21)，多种所述氧源回路(21)分别连通于所述反应腔体(10)，所述氧源系统(20)用于选择性地打开至少一种所述氧源回路(21)并向所述反应腔体(10)提供至少一种预设氧源；
有机源系统(30)，包括多种有机源回路(31)，多种所述有机源回路(31)分别连通于所述反应腔体(10)，所述有机源系统(30)用于选择性地打开至少一种所述有机源回路(31)并向所述反应腔体(10)提供至少一种预设有机源；
辅助气路(40)，连通于所述反应腔体(10)，用于向所述反应腔体(10)提供等离子体；
真空尾排系统(50)，连通于所述反应腔体(10)，用于对所述反应腔体(10)、所述氧源回路(21)、所述有机源回路(31)和所述辅助气路(40)进行抽真空处理。