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专利摘要

本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域;本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜,再制备Ni/SiO

专利状态

基础信息

专利号
CN201911320498.9
申请日
2019-12-19
公开日
2021-01-19
公开号
CN111063725B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

韩丹 刘青明 桑胜波 冀健龙 张强 李强 张文栋

申请人

太原理工大学

申请人地址

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

专利摘要

本发明涉及一种三维氮化镓基呼出式气体传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域;本发明在蓝宝石衬底上外延二维非故意掺杂和n型GaN薄膜,再制备Ni/SiO

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