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专利摘要

本发明提供一种MEMS芯片及MEMS传感器,所述MEMS芯片包括膜片,所述膜片包括感测部和围绕在所述感测部外围的外围部,所述感测部与所述外围部之间设有开槽,所述感测部具有朝向所述开槽的第一侧壁,所述外围部具有朝向所述开槽的第二侧壁,所述第一侧壁和/或所述第二侧壁设有防吸附结构,所述防吸附结构包括两个沟槽及形成于两个所述沟槽之间的侧向凸起,所述沟槽与所述开槽相连通,所述侧向凸起的顶端略凸出于该侧向凸起所在侧壁的壁面,所述侧向凸起凸出于该侧向凸起所在侧壁壁面的距离小于等于该侧向凸起所对应开槽宽度的1/5。
本发明可于相同的制程线宽工艺下同时满足低频信号稳定及制程裕度的需求,提高产品性能。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010774685.0
申请日
2020-08-04
公开日
2020-12-22
公开号
CN111732072B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

詹竣凯 李承勲 罗松成

申请人

共达电声股份有限公司

申请人地址

261000 山东省潍坊市坊子区凤山路68号

专利摘要

本发明提供一种MEMS芯片及MEMS传感器,所述MEMS芯片包括膜片,所述膜片包括感测部和围绕在所述感测部外围的外围部,所述感测部与所述外围部之间设有开槽,所述感测部具有朝向所述开槽的第一侧壁,所述外围部具有朝向所述开槽的第二侧壁,所述第一侧壁和/或所述第二侧壁设有防吸附结构,所述防吸附结构包括两个沟槽及形成于两个所述沟槽之间的侧向凸起,所述沟槽与所述开槽相连通,所述侧向凸起的顶端略凸出于该侧向凸起所在侧壁的壁面,所述侧向凸起凸出于该侧向凸起所在侧壁壁面的距离小于等于该侧向凸起所对应开槽宽度的1/5。
本发明可于相同的制程线宽工艺下同时满足低频信号稳定及制程裕度的需求,提高产品性能。

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