本发明涉及传感器技术领域，具体是一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，所述单轴高冲击加速度传感器包括有SOI晶圆衬底、硅梁和惯性质量块，所述SOI晶圆衬底设置有方形槽，所述SOI晶圆衬底上设置有惠斯通电桥，所述惠斯通电桥的桥臂上设置有制作在硅梁上的应变电阻，本发明体积小、灵敏度高、可以承受高载荷，SOI晶圆衬底中间带有氧化层，拓宽单轴高冲击加速度传感器使用的温度范围；解决传统制备工艺PN结因高温而导致器件失效问题，一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，采用反应离子刻蚀机对压阻区进行光刻，解决现有离子注入方式会产生侧向效应拓宽压阻区面积的问题，采用SOI衬底能够提高单轴高冲击加速度传感器使用寿命。

任政 苏刚 王红战

芜湖天波光电技术研究院有限公司

241000 安徽省芜湖市弋江区高新区信息产业园3栋15层1502室

本发明涉及传感器技术领域，具体是一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，所述单轴高冲击加速度传感器包括有SOI晶圆衬底、硅梁和惯性质量块，所述SOI晶圆衬底设置有方形槽，所述SOI晶圆衬底上设置有惠斯通电桥，所述惠斯通电桥的桥臂上设置有制作在硅梁上的应变电阻，本发明体积小、灵敏度高、可以承受高载荷，SOI晶圆衬底中间带有氧化层，拓宽单轴高冲击加速度传感器使用的温度范围；解决传统制备工艺PN结因高温而导致器件失效问题，一种单轴高冲击加速度传感器及其制造方法，采用反应离子刻蚀机对压阻区进行光刻，解决现有离子注入方式会产生侧向效应拓宽压阻区面积的问题，采用SOI衬底能够提高单轴高冲击加速度传感器使用寿命。