本发明公开的一种SiC单晶纳米尺度的等离子体电化学抛光方法，首先将将SiC单晶放在浓H2SO4和H2O2的混合溶液中里浸泡；其次，测量SiC单晶待抛光面的表面粗糙度，确定出疏化层的厚度；然后，在水基电解液中，以SiC单晶为阳极，不锈钢为阴极，根据疏化层的厚度，控制电压调制O2‑的离化率，通过O2‑活化电解改性SiC表面，在SiC表面生成疏化层；最后使用软磨料CeO2去除表面生成的疏化层后，重复电解抛光工序清洗干燥即可。
本发明公开的方法通过用等离子体电化学在材料表面生成疏化膜，降低表面硬度后采用软性磨粒去除，避免材料产生脆性断裂等机械损伤表面无化学残留，提高表面抛光质量的同时兼顾抛光效率。

李淑娟 尹新城 李志鹏 赵智渊 贾祯 蒋百铃

西安理工大学

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

本发明公开的一种SiC单晶纳米尺度的等离子体电化学抛光方法，首先将将SiC单晶放在浓H2SO4和H2O2的混合溶液中里浸泡；其次，测量SiC单晶待抛光面的表面粗糙度，确定出疏化层的厚度；然后，在水基电解液中，以SiC单晶为阳极，不锈钢为阴极，根据疏化层的厚度，控制电压调制O2‑的离化率，通过O2‑活化电解改性SiC表面，在SiC表面生成疏化层；最后使用软磨料CeO2去除表面生成的疏化层后，重复电解抛光工序清洗干燥即可。
本发明公开的方法通过用等离子体电化学在材料表面生成疏化膜，降低表面硬度后采用软性磨粒去除，避免材料产生脆性断裂等机械损伤表面无化学残留，提高表面抛光质量的同时兼顾抛光效率。