本发明公开了一种大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用，大面积有机半导体单晶的制备方法包括以下步骤：使基底保持40～60℃的温度，在所述基底的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述基底的上表面的距离为5～20微米，在刮刀和基底之间滴加浓度为1～10mg/mL的有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或基底，以使基底和刮刀发生相对移动，在所述刀刃经过的基底上得到所述大面积有机半导体单晶。
本发明大面积有机半导体单晶的制备都是在室温20～25℃下进行的，避免了高温对有机半导体性能的影响。
由于间距的减小使得分子受到的剪切应力大大增加，使得最终形成大面积的单晶膜。

胡文平 汪涛 任晓辰 段树铭 耿博文 高雄 张静

天津大学

300072 天津市南开区卫津路92号

本发明公开了一种大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用，大面积有机半导体单晶的制备方法包括以下步骤：使基底保持40～60℃的温度，在所述基底的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述基底的上表面的距离为5～20微米，在刮刀和基底之间滴加浓度为1～10mg/mL的有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或基底，以使基底和刮刀发生相对移动，在所述刀刃经过的基底上得到所述大面积有机半导体单晶。
本发明大面积有机半导体单晶的制备都是在室温20～25℃下进行的，避免了高温对有机半导体性能的影响。
由于间距的减小使得分子受到的剪切应力大大增加，使得最终形成大面积的单晶膜。