本发明公开一种对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法包括：(1)晶体生长完成后，从VGF炉内取出包含石英管、氮化硼坩埚及晶锭在内的组件；(2)对石英管加热，使得氮化硼坩埚及籽晶端沉积的红磷升华沉积到石英管的端部，直至所述氮化硼坩埚和籽晶端部分的石英管的透明度达到设定的透明度；(3)采用超声波探测仪对氮化硼坩埚内的晶锭从籽晶端到尾部进行扫描，获得籽晶和晶体表面的图像；(4)根据获得的籽晶和晶体表面的图像，判断晶体表面结晶情况及籽晶引晶情况是否达到设定标准，是则进行开管和脱埚处理；否则将所述组件送回VGF炉重新进行生长工艺。
本发明可以有效降低InP的生长成本，提高原原材料和辅材料的利用率。

赵有文 段满龙

珠海鼎泰芯源晶体有限公司

519000 广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房

本发明公开一种对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法包括：(1)晶体生长完成后，从VGF炉内取出包含石英管、氮化硼坩埚及晶锭在内的组件；(2)对石英管加热，使得氮化硼坩埚及籽晶端沉积的红磷升华沉积到石英管的端部，直至所述氮化硼坩埚和籽晶端部分的石英管的透明度达到设定的透明度；(3)采用超声波探测仪对氮化硼坩埚内的晶锭从籽晶端到尾部进行扫描，获得籽晶和晶体表面的图像；(4)根据获得的籽晶和晶体表面的图像，判断晶体表面结晶情况及籽晶引晶情况是否达到设定标准，是则进行开管和脱埚处理；否则将所述组件送回VGF炉重新进行生长工艺。
本发明可以有效降低InP的生长成本，提高原原材料和辅材料的利用率。