本发明涉及一种晶圆减薄方法，包括：提供封帽晶圆；于封帽晶圆的表面形成停止层；于停止层远离封帽晶圆的表面形成外延层；提供器件晶圆，器件晶圆的正面形成有器件；将器件晶圆键合于外延层的表面，其中，器件晶圆的正面及外延层远离停止层的表面为键合面；去除封帽晶圆直至露出停止层；去除停止层。
在封帽晶圆上形成停止层，在对晶圆进行减薄时可以减薄至停止层后自动停止，在精确控制减薄厚度的同时不会对不需要进行去除的外延层造成损伤，故不需要高精度的测量仪器检测减薄的厚度，从而可以实现非常高精度的减薄厚度控制。

陈志刚

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

本发明涉及一种晶圆减薄方法，包括：提供封帽晶圆；于封帽晶圆的表面形成停止层；于停止层远离封帽晶圆的表面形成外延层；提供器件晶圆，器件晶圆的正面形成有器件；将器件晶圆键合于外延层的表面，其中，器件晶圆的正面及外延层远离停止层的表面为键合面；去除封帽晶圆直至露出停止层；去除停止层。
在封帽晶圆上形成停止层，在对晶圆进行减薄时可以减薄至停止层后自动停止，在精确控制减薄厚度的同时不会对不需要进行去除的外延层造成损伤，故不需要高精度的测量仪器检测减薄的厚度，从而可以实现非常高精度的减薄厚度控制。