专利摘要
本发明揭示一种掺杂铋(Bi)的半绝缘晶片Ga
专利状态
基础信息
- 专利号
- CN201380048113.2
- 申请日
- 2013-02-28
- 公开日
- 2018-01-12
- 公开号
- CN104781456B
- 主分类号
- /C/C30/ 化学；冶金
- 标准类别
- 晶体生长
- 批准发布部门
- 国家知识产权局
- 专利状态
- 授权
发明人
桥本忠朗 艾德华·里特斯 锡拉·霍夫
申请人
希波特公司 首尔半导体股份有限公司
申请人地址
美国加利福尼亚州
专利摘要
本发明揭示一种掺杂铋(Bi)的半绝缘晶片Ga
相似专利技术
专利网-免费专利查询、专利检索、专利分享下载网
