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磁控溅射装置
申请人信息
- 申请人:中能创光电科技(常州)有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市金坛区亿晶路9号
- 发明人: 中能创光电科技(常州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 磁控溅射装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420516909.1 |
| 申请日 | 2024/3/15 |
| 公告号 | CN222119370U |
| 公开日 | 2024/12/6 |
| IPC主分类号 | C23C14/35 |
| 权利人 | 中能创光电科技(常州)有限公司 |
| 发明人 | 施栓林; 黄强 |
| 地址 | 江苏省常州市金坛区亿晶路9号 |
摘要文本
本实用新型涉及一种磁控溅射装置，包括：靶管；磁棒，磁棒穿在靶管的内腔中；磁场屏蔽套，靶管的两侧都套有磁场屏蔽套，磁场屏蔽套位置为磁棒的两端，磁场屏蔽套与靶管固定设置；靶材，靶材套在靶管上，并位于靶管的两侧的磁场屏蔽套之间。本实用新型的有益效果是：磁场屏蔽套可以对磁棒的两端的交叉磁场进行屏蔽，使靶材两端不发生溅射，以此减少靶材两端的过度刻蚀，提高靶材利用率；当磁场屏蔽套置于磁场中时，能够有效地吸收和重新定向磁场的磁力线。通过吸收和引导磁力线，磁场屏蔽套能够减少磁场的穿透，并减弱对周围环境的磁场干扰。
专利主权项内容
1.一种磁控溅射装置，其特征是，包括：
靶管(1)；
磁棒(2)，所述磁棒(2)穿在靶管(1)的内腔中；
磁场屏蔽套(3)，所述靶管(1)的两侧都套有磁场屏蔽套(3)，磁场屏蔽套(3)的位置为磁棒(2)的两端，磁场屏蔽套(3)与靶管(1)固定设置；
靶材(4)，所述靶材(4)套在靶管(1)上，并位于靶管(1)的两侧的磁场屏蔽套(3)之间。