本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度，可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。
所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12，所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21，所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置，所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。
CAP晶圆12为硅制，并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。
以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23，由此将活动空间13密封。

铃木裕辉夫 田中秀治 塚本贵城

国立大学法人东北大学

日本宫城县

本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度，可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。
所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12，所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21，所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置，所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。
CAP晶圆12为硅制，并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。
以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23，由此将活动空间13密封。