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专利摘要

本发明揭示一种微桥组件、红外探测器及其制造方法。
所述微桥组件包括:衬底,至少包括第一过孔;第一接触金属层,设置于衬底的一侧;第一释放保护层,设置于衬底的一侧,且至少部分覆盖所述第一接触金属层;电极层,设置于所述第一释放保护层远离衬底的一侧,且至少部分穿过所述第一释放保护层、电连接所述第一接触金属层;敏感层,设置于所述第一释放保护层远离衬底的一侧,电连接所述电极层;第二释放保护层,设置于第一释放保护层远离衬底的一侧,且覆盖所述电极层和所述敏感层;第二接触金属层,设置于所述第一过孔内,且电连接所述第一接触金属层;反射层,设置于衬底远离所述第一接触金属层的一侧,且至少部分电连接所述第二接触金属层。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811123376.6
申请日
2018-09-26
公开日
2019-03-12
公开号
CN109455664A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

康晓旭

申请人

上海集成电路研发中心有限公司

申请人地址

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

专利摘要

本发明揭示一种微桥组件、红外探测器及其制造方法。
所述微桥组件包括:衬底,至少包括第一过孔;第一接触金属层,设置于衬底的一侧;第一释放保护层,设置于衬底的一侧,且至少部分覆盖所述第一接触金属层;电极层,设置于所述第一释放保护层远离衬底的一侧,且至少部分穿过所述第一释放保护层、电连接所述第一接触金属层;敏感层,设置于所述第一释放保护层远离衬底的一侧,电连接所述电极层;第二释放保护层,设置于第一释放保护层远离衬底的一侧,且覆盖所述电极层和所述敏感层;第二接触金属层,设置于所述第一过孔内,且电连接所述第一接触金属层;反射层,设置于衬底远离所述第一接触金属层的一侧,且至少部分电连接所述第二接触金属层。

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