本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法,高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构;底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅,顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔,感压层硅的下表面设置有引压腔;信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层,信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。
本发明提供的压力传感器基于SOI基底制成,使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层,其最高使用温度达到500℃。
王立会 邓杨
广州市智芯禾科技有限责任公司
510000 广东省广州市黄埔区香雪八路98号C栋1109房
本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法,高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构;底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅,顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔,感压层硅的下表面设置有引压腔;信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层,信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。
本发明提供的压力传感器基于SOI基底制成,使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层,其最高使用温度达到500℃。