本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及单晶炉及单晶硅的制备方法。
本发明提供的单晶炉，包括炉体，所述炉体内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述石墨坩埚侧壁的外侧设置有加热器，所述炉体内壁上设置有隔热材料，所述加热器靠近石墨坩埚的一侧设置有第一开槽，所述第一开槽的延伸方向与加热器的高度方向垂直，所述第一开槽的中心与所述加热器上端面之间的距离为加热器高度的1/4～1/5。
通过设置第一开槽，可提高加热器的发热量，将最大发热区域调整至固液界面附近。
制备单晶硅时，由于固液界面处发热量较大，缩小了单晶硅晶锭边缘与中心处的轴向温度梯度的差值，减少单晶硅锭中的初始点缺陷浓度。

李阳 张婉婉

西安奕斯伟硅片技术有限公司

710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及单晶炉及单晶硅的制备方法。
本发明提供的单晶炉，包括炉体，所述炉体内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述石墨坩埚侧壁的外侧设置有加热器，所述炉体内壁上设置有隔热材料，所述加热器靠近石墨坩埚的一侧设置有第一开槽，所述第一开槽的延伸方向与加热器的高度方向垂直，所述第一开槽的中心与所述加热器上端面之间的距离为加热器高度的1/4～1/5。
通过设置第一开槽，可提高加热器的发热量，将最大发热区域调整至固液界面附近。
制备单晶硅时，由于固液界面处发热量较大，缩小了单晶硅晶锭边缘与中心处的轴向温度梯度的差值，减少单晶硅锭中的初始点缺陷浓度。