本发明提供了一种具有高载体浓度和结晶度的GaAs单晶的制造方法和一种GaAs单晶晶片。
本发明为GaAs单晶的制造方法，其特征在于，在在坩埚(4)中容纳晶种(10)、Si材料(12)、作为杂质的GaAs材料(14)、固体二氧化硅(16)和氧化硼材料(18)的状态下进行立式舟法，并生长GaAs单晶(20)。

中村良一 村上元一 宫地岳广

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日本东京都

本发明提供了一种具有高载体浓度和结晶度的GaAs单晶的制造方法和一种GaAs单晶晶片。
本发明为GaAs单晶的制造方法，其特征在于，在在坩埚(4)中容纳晶种(10)、Si材料(12)、作为杂质的GaAs材料(14)、固体二氧化硅(16)和氧化硼材料(18)的状态下进行立式舟法，并生长GaAs单晶(20)。