一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法 下载此专利PDF版本

CN201310547407.1 微管 密度 生长 尺寸 降低

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专利摘要

本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。
在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 授权

基础信息

专利号
CN201310547407.1
申请日
2013-11-06
公开日
2014-02-19
公开号
CN103590101A
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

陈秀芳 徐现刚 彭燕 胡小波

申请人

山东大学

申请人地址

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

专利摘要

本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。
在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10

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