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专利摘要

本发明属于纳米材料制备领域,具体涉及一种纳米多孔表面等离激元晶体及其制备方法。
针对现有方法制备的表面等离激元晶体的光学性能欠佳,有待提高的问题,本发明提供一种纳米多孔表面等离激元晶体的制备方法,包括以下步骤:a、将纳米微球悬浮液制成单个分散的纳米微球;b、将纳米微球组装至基底表面,形成规则的二维六角密堆纳米微球阵列;c、退火处理;d、在二维微球纳米阵列表面沉积合金薄膜,形成金属合金半球壳阵列;e、去合金化处理,形成纳米多孔金属半球壳阵列结构。
本发明制备工艺简单,设备要求不高,成本低,制备的纳米多孔表面等离激元晶体具有更加优良的光学特性,具有明显的经济效益。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711318683.5
申请日
2017-12-12
公开日
2018-05-08
公开号
CN108004590A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

杜凯 黄景林 何小珊 刘艳松 何智兵 王涛 陈果

申请人

中国工程物理研究院激光聚变研究中心

申请人地址

621900 四川省绵阳市绵山路64号

专利摘要

本发明属于纳米材料制备领域,具体涉及一种纳米多孔表面等离激元晶体及其制备方法。
针对现有方法制备的表面等离激元晶体的光学性能欠佳,有待提高的问题,本发明提供一种纳米多孔表面等离激元晶体的制备方法,包括以下步骤:a、将纳米微球悬浮液制成单个分散的纳米微球;b、将纳米微球组装至基底表面,形成规则的二维六角密堆纳米微球阵列;c、退火处理;d、在二维微球纳米阵列表面沉积合金薄膜,形成金属合金半球壳阵列;e、去合金化处理,形成纳米多孔金属半球壳阵列结构。
本发明制备工艺简单,设备要求不高,成本低,制备的纳米多孔表面等离激元晶体具有更加优良的光学特性,具有明显的经济效益。

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