一种Bi/RGO晶体及其制备方法 下载此专利PDF版本

CN201610261098.5 晶体

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专利摘要

本发明公开了一种Bi/RGO晶体及其制备方法，先分别制备Bi

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 授权

基础信息

专利号
CN201610261098.5
申请日
2016-04-25
公开日
2016-07-06
公开号
CN105734666A
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

谈国强 赵程程 任慧君 夏傲

申请人

陕西科技大学

申请人地址

710021 陕西省西安市未央区大学园1号

专利摘要

本发明公开了一种Bi/RGO晶体及其制备方法，先分别制备Bi

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