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晶体生长

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#	专利名称	专利号	申请日期	专利状态
61	一种太阳能电池硅片插片装置	CN201711093664.7	2017-11-08	失效
62	一种四杆机构炉门结构	CN201721165143.3	2017-09-12	授权
63	一种制备一元或二元图案化胶体光子晶体的方法	CN201110025331.7	2011-01-24	审查中-公开
64	一种有机-无机杂化三阶非线性光学晶体材料及其合成方法	CN201010140796.2	2010-04-02	失效
65	一种二元金纳米粒子Janus组装体的制备方法	CN201110272660.1	2011-09-15	失效
66	新配方的软水吸收纳盐晶体	CN201110405023.7	2011-12-08	发明公开
67	非密堆反蛋白石光子晶体的制备方法	CN201110243157.3	2011-08-23	授权
68	一种水溶液中亚硝酸盐检测材料及其制备方法	CN201110270053.1	2011-09-13	授权
69	多晶硅铸锭炉用碳材料的防碳污染涂层及其制备工艺	CN201110242948.4	2011-08-23	授权
70	冷坩埚支撑架	CN201420055518.0	2014-01-28	失效
71	陶瓷、压电器件及其制备方法	CN201080015258.9	2010-03-30	授权
72	用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法	CN201280048056.3	2012-09-24	失效
73	一种砷化镓基多晶无液封合成装置	CN201410521834.7	2014-09-30	暂失效-视为撤回
74	一种多晶硅用石英陶瓷坩埚	CN201420456701.1	2014-08-14	有效专利
75	上装料多晶炉	CN201110145108.6	2011-05-31	失效
76	一种多晶硅薄膜的制备方法	CN201310163296.4	2013-05-06	失效
77	具有改进气路的定向凝固炉	CN201010275441.4	2010-09-07	授权
78	一种碳化硅晶体生长装置	CN201520047326.X	2015-01-23	授权
79	一种改进型蓝宝石长晶炉通气结构	CN201420286450.7	2014-06-03	失效
80	制造半导体单晶的方法	CN201180017185.1	2011-03-28	审查中-公开
81	一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法	CN201310080414.5	2013-03-12	授权
82	通气流制备超细纳米粉末的方法	CN201510756529.0	2015-11-09	失效
83	一种制备单晶的装置和碳化硅单晶的制备方法	CN201911370512.6	2019-12-26	有效专利
84	一种用于PVT法制备单晶的长晶炉及其应用	CN201911347904.0	2019-12-24	有效专利
85	一种金属砷单晶的制备方法	CN202010285916.1	2020-04-13	审查中-实审
86	一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法	CN201910900730.X	2019-09-23	有效专利
87	一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置	CN201911349995.1	2019-12-24	审查中-实审
88	一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置	CN201911349956.1	2019-12-24	审查中-实审
89	一种高质量碳化硅单晶的制备方法及其装置	CN202010361772.3	2020-04-30	有效专利
90	碳化硅晶体的生长装置及生长方法	CN202010322798.7	2020-04-22	有效专利

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