| 211 |
一种Li掺杂ZnO晶体薄膜的制备方法 |
CN201611029842.5 |
2016-11-15 |
失效 |
| 212 |
一种砷化镓多晶合成装置 |
CN201720026915.9 |
2017-01-11 |
授权 |
| 213 |
多晶硅生长检测装置 |
CN201720631227.5 |
2017-05-18 |
授权 |
| 214 |
一种铜电极外板连接结构及其焊接工装 |
CN201720481634.2 |
2017-05-03 |
失效 |
| 215 |
一种硅锭长晶用支撑装置 |
CN201721495628.9 |
2017-11-10 |
有效专利 |
| 216 |
一种铸锭炉水冷电缆电极 |
CN201820779166.1 |
2018-05-24 |
有效专利 |
| 217 |
用于钻头切割元件的选择性沥滤的多晶结构 |
CN201380058345.6 |
2013-09-05 |
授权 |
| 218 |
一种冷凝液回收利用系统 |
CN201510630043.2 |
2015-09-28 |
授权 |
| 219 |
连接机构及隔热笼组件 |
CN201821346428.1 |
2018-08-20 |
授权 |
| 220 |
一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法 |
CN201310547407.1 |
2013-11-06 |
授权 |
| 221 |
GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 |
CN201280036835.1 |
2012-05-16 |
审查中-公开 |
| 222 |
一种氮化物晶体的生长装置及方法 |
CN201510365581.3 |
2015-06-29 |
有效专利 |
| 223 |
一种晶体硅及其制备方法 |
CN201710200003.3 |
2017-03-30 |
审查中-实审 |
| 224 |
氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法 |
CN201510042470.9 |
2015-01-28 |
有效专利 |
| 225 |
一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法 |
CN201710692399.8 |
2017-08-14 |
审查中-实审 |
| 226 |
一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统 |
CN201721587953.8 |
2017-11-24 |
授权 |
| 227 |
一种低应力氮化铝晶体的生长方法 |
CN201711284009.X |
2017-12-07 |
有效专利 |
| 228 |
一种氮化铝自成核生长方法 |
CN201711454380.6 |
2017-12-28 |
有效专利 |
| 229 |
一种低成本的氮化铝晶体生长方法 |
CN201711474222.7 |
2017-12-29 |
审查中-实审 |
| 230 |
一种高质量氮化铝单晶的生长方法 |
CN201711474199.1 |
2017-12-29 |
有效专利 |
| 231 |
一种晶体生长装置及晶体生长方法 |
CN201910640864.2 |
2019-07-16 |
有效专利 |
| 232 |
具有低缺陷密度的大块硅碳化物 |
CN201480049200.4 |
2014-09-05 |
有效专利 |
| 233 |
绝热性遮蔽构件和具备该构件的单晶制造装置 |
CN201910335471.0 |
2019-04-24 |
审查中-实审 |
| 234 |
一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法 |
CN201911190543.3 |
2019-11-28 |
有效专利 |
| 235 |
生长氮化铝晶体的坩埚装置 |
CN202011021908.2 |
2020-09-25 |
有效专利 |
| 236 |
一种钨铼合金及其应用 |
CN201910233626.X |
2019-03-26 |
有效专利 |
| 237 |
一种高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法 |
CN201911086509.1 |
2019-11-08 |
有效专利 |
| 238 |
激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法 |
CN201810159834.5 |
2018-02-26 |
审查中-实审 |
| 239 |
一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法 |
CN201911192379.X |
2019-11-28 |
审查中-实审 |
| 240 |
一种金属铂的半金属化合物的制备方法 |
CN201610862880.2 |
2016-09-28 |
有效专利 |
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