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晶体生长
  
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专利名称
专利号
申请日期
专利状态
121 一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统 CN201811565919.X 2018-12-20 有效专利
122 一种区熔炉热量反射装置 CN201921625433.0 2019-09-26 有效专利
123 使用有机配体的混合物制备纳米晶体 CN201710699523.3 2011-12-23 有效专利
124 对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法 CN201811640598.5 2018-12-29 审查中-实审
125 一种新型铸锭坩埚贴膜及其制备方法 CN201910354304.0 2019-04-29 审查中-实审
126 一种多坩埚晶体生长炉工位联动控制装置及方法 CN201911347149.6 2019-12-24 有效专利
127 一种高温合金及其制备方法 CN202010085047.8 2020-02-10 有效专利
128 一种单晶双联体空心导向叶片的熔模精密铸造方法 CN202010386336.1 2020-05-09 有效专利
129 MZnPO4(M=Li, K)非线性光学晶体的制备方法和用途 CN201811038991.7 2018-09-06 有效专利
130 一种基于临界再结晶残余应力的再结晶控制方法 CN201811009741.0 2018-08-31 审查中-实审
131 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法 CN201811181541.3 2018-10-11 有效专利
132 一种单晶体石墨材料制备装置 CN201610774899.1 2016-08-31 授权
133 铜晶须的制备方法 CN201810468715.8 2018-05-16 审查中-实审
134 一种利用微波快速合成氧化锌晶须的方法 CN201610299793.0 2016-05-09 授权
135 利用水热-碱式氯化镁前驱体从卤水中制备氧化镁晶须的方法 CN201811391039.5 2018-11-21 审查中-实审
136 一种消除激光3D打印单晶高温合金再结晶倾向的方法 CN201710493434.3 2017-06-26 授权
137 一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法及其制备的超导环 CN201710161868.3 2017-03-17 授权
138 一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法 CN201611107754.2 2016-12-06 授权
139 一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法 CN202010357763.7 2020-04-29 有效专利
140 化合物氟碘酸锶和氟碘酸锶紫外非线性光学晶体及制备方法和用途 CN202010488300.4 2020-06-02 审查中-实审
141 一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉及其制作方法 CN202010363285.0 2020-04-30 有效专利
142 一水合碘酸铕红外非线性光学晶体材料及其制备与应用 CN202010561015.0 2020-06-18 有效专利
143 一种大尺寸钛宝石晶体生长方法 CN201410626429.1 2014-11-10 授权
144 基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法 CN202010591640.X 2020-06-24 有效专利
145 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法 CN201910075768.8 2019-01-25 有效专利
146 一种生长高品质碳化硅晶须的方法 CN201610482192.3 2016-06-28 授权
147 用于制造第13族氮化物晶体的方法和设备 CN201480044635.X 2014-08-05 失效
148 一种单相黄铜矿结构CdGeAs CN201910198369.0 2019-03-15 审查中-实审
149 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 CN201580064055.1 2015-11-25 授权
150 一种黄铁矿结构铁基三元硫族单晶材料及其制备方法 CN201710865735.4 2017-09-22 授权