晶体管专利列表

集成功率器件及HEMT晶体管

实用新型
申请号: CN202420458115.4
申请人: 意法半导体国际公司
专利类型: 实用新型

一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件

实用新型
申请号: CN202420920829.2
申请人: 南京大陆豪薄膜开关技术有限公司
专利类型: 实用新型

平板封装压接式引出电极绝缘栅双极型晶体管元件

实用新型
申请号: CN202421002814.4
申请人: 北京新创椿树整流器件有限公司
专利类型: 实用新型

一种测量晶体管特性的精密恒温夹具

实用新型
申请号: CN202420007471.4
申请人: 青岛贝曼电子科技有限公司
专利类型: 实用新型

一种嵌套式石墨烯场效应晶体管传感器芯片封装结构

实用新型
申请号: CN202422757847.6
申请人: 合肥工业大学; 益凯芯(合肥)生物科技有限公司
专利类型: 实用新型

一种基于碳纳米管的薄膜晶体管结构

实用新型
申请号: CN202421462107.3
申请人: 杭州英希捷科技有限责任公司
专利类型: 实用新型

功率MOS场效应晶体管及半导体封装结构

实用新型
申请号: CN202323514978.3
申请人: 合肥艾创微电子科技有限公司
专利类型: 实用新型

一种MOS晶体管

实用新型
申请号: CN202421085026.6
申请人: 深圳市诚芯微科技股份有限公司
专利类型: 实用新型

一种晶体管的驱动电路

实用新型
申请号: CN202420488865.6
申请人: 上海英恒电子有限公司
专利类型: 实用新型

一种多通道高压晶体管集成电路模块封装结构

实用新型
申请号: CN202323486728.3
申请人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
专利类型: 实用新型

一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构

实用新型
申请号: CN202323487073.1
申请人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
专利类型: 实用新型

高电子迁移率晶体管的封装结构

实用新型
申请号: CN202420655390.5
申请人: 英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
专利类型: 实用新型

一种高电子迁移率晶体管

实用新型
申请号: CN202420862505.8
申请人: 安建科技有限公司
专利类型: 实用新型

一种双极性晶体管用储存箱

实用新型
申请号: CN202420863008.X
申请人: 天津晶德科技有限公司
专利类型: 实用新型

一种MOS场效应晶体管

发明申请
申请号: CN202410008516.4
申请人: 江西联创特种微电子有限公司
专利类型: 发明申请

一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法

发明申请
申请号: CN202410160463.8
申请人: 江西兆驰半导体有限公司
专利类型: 发明申请

垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法

发明申请
申请号: CN202410097603.1
申请人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利类型: 发明申请

垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法

发明申请
申请号: CN202410097602.7
申请人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利类型: 发明申请

一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件

发明授权
申请号: CN202410096071.X
申请人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利类型: 发明授权

垂直型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202410176599.8
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202410176524.X
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型

发明申请
申请号: CN202410043869.8
申请人: 华南理工大学
专利类型: 发明申请

横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

发明授权
申请号: CN202410029498.8
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
专利类型: 发明授权

横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

发明申请
申请号: CN202410029501.6
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
专利类型: 发明申请

晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备

发明申请
申请号: CN202410141055.8
申请人: 清华大学
专利类型: 发明申请

晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体

发明申请
申请号: CN202410072320.1
申请人: 瑞能微恩半导体(上海)有限公司
专利类型: 发明申请

高电子迁移率氧化镓场效应晶体管制备方法及晶体管

发明申请
申请号: CN202311580701.2
申请人: 湖北九峰山实验室
专利类型: 发明申请

晶体管器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法

发明申请
申请号: CN202311675192.1
申请人: 芯联集成电路制造股份有限公司
专利类型: 发明申请

一种逆导型绝缘栅双极晶体管

发明申请
申请号: CN202311525708.4
申请人: 浙江旺荣半导体有限公司
专利类型: 发明申请

氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、HEMT

发明授权
申请号: CN202311659766.6
申请人: 江西兆驰半导体有限公司
专利类型: 发明授权

一种晶体管结构及其制作方法、芯片

发明授权
申请号: CN202311843158.0
申请人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利类型: 发明授权

测量方法、装置、系统、晶体管、集成电路、介质及设备

发明授权
申请号: CN202311847252.3
申请人: 苏州元脑智能科技有限公司
专利类型: 发明授权

一种集成式场效应晶体管

发明申请
申请号: CN202311662951.0
申请人: 无锡锡产微芯半导体有限公司; 江苏中科君芯科技有限公司
专利类型: 发明申请

一种晶体管结构和芯片

发明授权
申请号: CN202311789010.3
申请人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利类型: 发明授权

一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路及方法

发明申请
申请号: CN202311856977.9
申请人: 珠海格力电器股份有限公司; 珠海零边界集成电路有限公司
专利类型: 发明申请

一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法

发明申请
申请号: CN202311550132.7
申请人: 深圳芯能半导体技术有限公司
专利类型: 发明申请

一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件

发明申请
申请号: CN202311719807.6
申请人: 深圳平湖实验室
专利类型: 发明申请

一种高频大功率晶体管生产用测试装置及其使用方法

发明申请
申请号: CN202310985173.2
申请人: 深圳市立高通科技有限公司
专利类型: 发明申请

一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202311485560.6
申请人: 深圳平湖实验室
专利类型: 发明申请

一种金刚石基晶体管器件、其制作方法及电子器件

发明申请
申请号: CN202311864997.0
申请人: 深圳平湖实验室
专利类型: 发明申请

一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法

发明申请
申请号: CN202311611439.3
申请人: 深圳芯能半导体技术有限公司
专利类型: 发明申请

垂直型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202311835538.X
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

一种异质结逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片

发明申请
申请号: CN202311834862.X
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202311835355.8
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

一种逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片

发明申请
申请号: CN202311834083.X
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

绝缘栅双极晶体管芯片及其栅极电阻调整方法

发明授权
申请号: CN202311384541.4
申请人: 深圳腾睿微电子科技有限公司
专利类型: 发明授权

平面型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

发明申请
申请号: CN202311835796.8
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片

发明申请
申请号: CN202311834326.X
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利类型: 发明申请

耗尽型晶体管的驱动电路

发明授权
申请号: CN202311302481.7
申请人: 广东致能科技有限公司
专利类型: 发明授权

双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管及制备方法

发明申请
申请号: CN202311563148.1
申请人: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
专利类型: 发明申请

NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管

发明申请
申请号: CN202311696955.0
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利类型: 发明申请

一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法

发明申请
申请号: CN202311720432.5
申请人: 巢湖学院
专利类型: 发明申请

一种应变碳化硅场效应晶体管

发明申请
申请号: CN202311803009.1
申请人: 上海陆芯电子科技有限公司
专利类型: 发明申请

一种低压晶体管在高压环境下控制电源切换的电路

发明申请
申请号: CN202311608983.2
申请人: 灿芯半导体(上海)股份有限公司
专利类型: 发明申请

阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法

发明申请
申请号: CN202210927589.4
申请人: 无锡华润上华科技有限公司
专利类型: 发明申请

一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法

发明授权
申请号: CN201810895215.2
申请人: 长鑫存储技术有限公司
专利类型: 发明授权

半导体储存器的晶体管结构及其制造方法

发明授权
申请号: CN201810241906.0
申请人: 长鑫存储技术有限公司
专利类型: 发明授权

一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法

发明授权
申请号: CN201810662858.2
申请人: 长鑫存储技术有限公司
专利类型: 发明授权

晶体管及其形成方法、半导体器件

发明授权
申请号: CN201810196012.4
申请人: 长鑫存储技术有限公司
专利类型: 发明授权

一种基于变容管自适应匹配技术的高效率复合晶体管管芯

发明授权
申请号: CN201810816884.6
申请人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
专利类型: 发明授权

鳍式场效晶体管装置结构的形成方法

发明授权
申请号: CN201810355316.0
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利类型: 发明授权

一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法

发明授权
申请号: CN201711456098.1
申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利类型: 发明授权

绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备

发明授权
申请号: CN201711046452.3
申请人: 珠海零边界集成电路有限公司; 珠海格力电器股份有限公司
专利类型: 发明授权

绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路及其测量方法

发明授权
申请号: CN201711361231.5
申请人: 深圳芯能半导体技术有限公司
专利类型: 发明授权

一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法

发明授权
申请号: CN201711372080.3
申请人: 北京大学深圳研究生院
专利类型: 发明授权

晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法

发明授权
申请号: CN201711206798.5
申请人: 长鑫存储技术有限公司
专利类型: 发明授权

一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器

发明授权
申请号: CN201710936666.1
申请人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
专利类型: 发明授权

大功率晶体管测试夹具的工作方法

发明授权
申请号: CN201710228921.7
申请人: 中国电子技术标准化研究院; 北京赛西科技发展有限责任公司
专利类型: 发明授权

基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管

发明授权
申请号: CN201610847814.8
申请人: 兰州大学
专利类型: 发明授权

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